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本申请提供一种半导体器件的加工方法及半导体器件。该半导体器件的加工方法包括：提供半导体预制件；其中，半导体预制件包括衬底、设置在衬底的一表面上的第一介质层以及嵌设于第一介质层内的至少一金属引出端；在第一介质层远离衬底的表面开设沟槽，沟槽暴露...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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