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本公开实施例提供一种形成导电特征的方法，所述方法包括：在衬底之上形成晶种层；在晶种层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层具有暴露出晶种层的开口；在开口中形成导电材料；移除图案化掩模层，以暴露出部分的晶种层；以及使用包含保护剂的刻蚀溶液移除所...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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