下载半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法的技术资料

文档序号:27748357

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法。提供一种制造finFET装置的制程。栅极电极层位于介电层上方。栅极电极层与介电层都位于鳍状半导体结构的上方及周围。通过两步图案化制程从栅极电极层形成栅极电极。在第一图案化步骤中,对栅极电极层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。