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一种半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法。提供一种制造finFET装置的制程。栅极电极层位于介电层上方。栅极电极层与介电层都位于鳍状半导体结构的上方及周围。通过两步图案化制程从栅极电极层形成栅极电极。在第一图案化步骤中,对栅极电极层...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法。提供一种制造finFET装置的制程。栅极电极层位于介电层上方。栅极电极层与介电层都位于鳍状半导体结构的上方及周围。通过两步图案化制程从栅极电极层形成栅极电极。在第一图案化步骤中,对栅极电极层...