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半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:27748327
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实施方式提供一种半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法,其在以贯穿层叠体的上下方向的方式设置接触件的区域中,能够更简便地阻碍绝缘层向导电层的置换。实施方式的半导体存储装置具备:基板;以及层叠体,层叠于基板的上方,层叠体具有第一层叠部和第...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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