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半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:27748325
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实施方式提供能够实现电气特性的提高的半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具有基板、多个第一导电层、第二导电层、第一柱状体和第二柱状体。所述多个第一导电层在所述基板的上方沿第一方向层叠。所述第二导电层配置于所述...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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