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实施方式提供一种提高沟道形成区域的载流子迁移率的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：单结晶半导体基板；基底层，设于单结晶半导体基板上；层叠体，包括交替地层叠在基底层上的导电层和绝缘层和基底层；单结晶半导体层，沿与单结晶半导体基板的...
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