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一种半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第一隔离结构以及多个外延结构。衬底具有多个位于其中的半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，以及第二隔离结构延比第一隔离结构伸至衬底内更远。外延结构分别...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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