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本公开描述了可以消除或最小化在铁电场效应晶体管的金属栅极层上形成氧化物的方法。在一些实施例中，该方法包括提供在其上具有鳍的衬底；以及在鳍上沉积界面层；在界面层上沉积铁电层；在铁电层上沉积金属栅极层；使金属栅极层暴露于金属卤化物气体；执行后金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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