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可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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