溅射装置以及制造磁存储器件的方法制造方法及图纸

可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，卡盘配置为在其上容纳衬底；以及冷却单元，连接到卡盘的下部，该冷却单元配置为将卡盘冷却至低于第一蒸发点且高于第二蒸发点的温度。

【技术实现步骤摘要】
溅射装置以及制造磁存储器件的方法
本专利技术构思涉及用于制造半导体器件的装置和/或使用该装置制造半导体器件的方法，更具体地，涉及溅射装置和/或使用该溅射装置制造磁存储器件的方法。
技术介绍
随着电子产品趋向于更高的速度和/或更低的功耗，对于结合在电子产品中的半导体存储器件，越来越需要高的速度和低的工作电压。为了满足这样的要求，已经开发了磁存储器件作为半导体存储器件。由于磁存储器件以相对高的速度工作并具有非易失性特性，所以它们作为下一代半导体存储器件已经引起相当大的关注。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施方式提供能够减小表面粗糙度并提高磁性金属层的垂直磁各向异性的溅射装置和/或使用该溅射装置制造磁存储器件的方法。根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种溅射装置可以包括：腔室；气体供应源(gassupply)，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对该多个溅射枪，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射装置，包括：/n腔室；/n气体供应源，配置为向所述腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，所述第一惰性气体和所述第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中所述第一蒸发点高于所述第二蒸发点；/n多个溅射枪，在所述腔室的上部中；/n卡盘，在所述腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，所述卡盘配置为在其上容纳衬底；以及/n冷却单元，连接到所述卡盘的下部，所述冷却单元配置为将所述卡盘冷却至低于所述第一蒸发点且高于所述第二蒸发点的温度。/n

【技术特征摘要】
20190916 KR 10-2019-01134311.一种溅射装置，包括：
腔室；
气体供应源，配置为向所述腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，所述第一惰性气体和所述第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中所述第一蒸发点高于所述第二蒸发点；
多个溅射枪，在所述腔室的上部中；
卡盘，在所述腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，所述卡盘配置为在其上容纳衬底；以及
冷却单元，连接到所述卡盘的下部，所述冷却单元配置为将所述卡盘冷却至低于所述第一蒸发点且高于所述第二蒸发点的温度。


2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中所述冷却单元包括：
冷却器，配置为产生冷热能；以及
冷却连杆，在所述冷却器和所述卡盘之间并且连接到所述腔室的所述下部，所述冷却连杆配置为将所述冷却器的所述冷热能传递到所述卡盘。


3.根据权利要求2所述的溅射装置，还包括：
驱动机构，穿过所述冷却连杆并配置为使所述卡盘旋转，
其中所述冷却连杆包括填充有第一冷却剂的空腔。


4.根据权利要求3所述的溅射装置，其中
所述冷却单元还包括连接到所述冷却连杆的冷却剂供应源，所述冷却剂供应源包括，
第一冷却剂供应源，连接到所述冷却连杆并配置为向所述空腔提供所述第一冷却剂，和
第二冷却剂供应源，连接到所述驱动机构在所述空腔中的部分并配置为向所述卡盘供应第二冷却剂。


5.根据权利要求4所述的溅射装置，其中所述冷却连杆还包括在所述空腔中的密封构件，所述密封构件将所述第二冷却剂供应源连接到所述驱动机构。


6.根据权利要求2所述的溅射装置，其中所述冷却单元还包括在所述冷却连杆和所述卡盘之间的冷却头。


7.根据权利要求1所述的溅射装置，其中所述气体供应源包括：
第一气体供应源，配置为供应所述第一惰性气体；和
第二气体供应源，配置为供应所述第二惰性气体。


8.根据权利要求7所述的溅射装置，其中所述多个溅射枪包括：
第一溅射枪，在所述腔室中的一侧；和
第二溅射枪，在所述腔室中的另一侧，
其中所述第二溅射枪具有连接到所述第二气体供应源的喷嘴孔，所述喷嘴孔配置为喷射所述第二惰性气体。


9.根据权利要求1所述的溅射装置，其中
所述第一惰性气体包括氩气，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊明，金晥均，卢恩仙，朴正宪，郑峻昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR