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本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。利用热氧化工艺和沉积工艺相结合制备栅氧化层，有利于降低栅氧化层的整体厚度，并基于高覆盖性能的沉积氧化层提高拐角位置的氧化层厚度，如此，即可以有效克服现有技术中存在的器件开启电压和器件漏电流相互...
该专利属于中芯集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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