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在第一方面，本发明涉及一种形成用于半导体器件的触件隔离体(900)的方法，该方法包括：(a)提供半导体结构，该半导体结构包括暴露其下方触件(600)的沟槽(400)，(b)用牺牲材料(700)填充沟槽(400)的底部，(c)用陶瓷材料(80...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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