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本公开提供了削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法。一种削角蚀刻装置包括：配置为接收衬底的卡盘板；围绕卡盘板的周边的下等离子体隔离区(PEZ)环；在卡盘板上的盖板；以及围绕盖板的周边的上PEZ环。下PEZ环包括环基部和从环基部的边缘向上延伸并围...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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