温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体存储器的形成方法。所述半导体存储器的形成方法包括如下步骤：形成第一刻蚀图形于基底表面，所述第一刻蚀图形包括第一掩膜层、第二掩膜层和沿第一方向延伸的第一沟槽；回填所述第一沟槽；去除所述第二掩膜层...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。