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公开了3D存储器件和用于形成3D存储器件的各实施例。在一个实施例中，一种3D存储器件包括：绝缘层；半导体层；包括交错的导电层和介电层的存储堆叠层；源极接触结构，该源极接触结构从绝缘层的相对于半导体层的相对侧垂直地延伸穿过绝缘层以与半导体层接...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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