下载包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法的技术资料

文档序号:27438411

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本公开的各种实施例涉及一种包括电容器的集成电路。所述电容器位于衬底之上且包括第一电极,所述第一电极具有在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层。所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层。第二电极包括在垂直方向上彼此堆叠的多个...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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