包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法技术

本公开的各种实施例涉及一种包括电容器的集成电路。所述电容器位于衬底之上且包括第一电极，所述第一电极具有在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层。所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层。第二电极包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层。所述多个第二电极层分别在多个第二连接区中接触相邻的第二电极层。所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间。电容器介电结构将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开。还提供一种形成沟槽电容器的方法。一种形成沟槽电容器的方法。一种形成沟槽电容器的方法。

【技术实现步骤摘要】
包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件(例如，数字相机、光学成像器件等)包括图像传感器。图像传感器将光学图像转换成可表示为数字图像的数字数据。图像传感器包括像素传感器阵列，像素传感器阵列是用于将光学图像转换成数字数据的单元器件。像素传感器的一些类型包括电荷耦合器件(charge-coupled device，CCD)图像传感器及互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)图像传感器(CMOS image sensor，CIS)。与CCD图像传感器相比，CIS由于功耗低、尺寸小、数据处理快、数据直接输出及制造成本低而比其他图像传感器更受青睐。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种集成电路(IC)，包括：衬底以及电容器。电容器设置在衬底之上，且电容器包括：第一电极、第二电极以及电容器介电结构。第一电极包括在垂直方向上彼此堆叠的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：衬底；以及电容器，设置在所述衬底之上且包括：第一电极，包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层，其中所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层；第二电极，包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层，其中所述多个第二电极层分别在多个第二连接区中接触相邻的第二电极层，其中所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间；以及电容器介电结构，将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开。2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：内连线结构，上覆在所述衬底上且包括相对的侧壁，所述相对的侧壁至少部分地界定沟槽，其中所述第一电极、所述第二电极及所述电容器介电结构设置在所述沟槽内。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一连接区及所述第二连接区分别和所述沟槽在侧向上偏置开。4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述内连线结构包括：内连线介电结构，具有至少部分地界定所述沟槽的所述相对的侧壁；多个导通孔，设置在所述内连线介电结构内且包括上导通孔；多个导电线，设置在所述内连线介电结构内且包括下导电线；以及其中所述多个第一电极层中的最底部的第一电极层直接接触所述下导电线且所述多个第二电极层中的最顶部的第二电极层直接接触所述上导通孔。5.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：单个导通孔，上覆在所述电容器上且直接接触所述第二电极，其中所述单个导通孔是直接接触所述电容器的唯一通孔。6.一种集成电路，包括：第一衬底；光电探测器，设置在所述第一衬底内；层间介电层，上覆在所述第一衬底上，其中所述层间介电层包括第一相对的侧壁，所述第一相对的侧壁至少部分地界定上覆在所述光电探测器上的第一沟槽；以及沟槽电容器，设置在所述第一沟槽内，其中所述沟槽电容器包括：第一电极，设置在所述第一沟槽内且包括下第一电极层及上第一电极层，所述下第一电极层与所述上第一电极层在第一区中彼此直接接触，所述第一区和所述第一沟槽在侧向上偏置开；第二电极，设置在所述第一沟槽内且包括下第二电极层及上第二电极层，所述下第二电极层与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄益民，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：