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半导体结构及其制作方法技术
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文档序号:27304860
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本发明提出一种半导体结构的制作方法,涉及半导体生产工艺领域,包括:提供衬底,在所述衬底上形成沟槽;在所述沟槽底部和侧壁形成掩膜层;去除所述沟槽侧壁的所述掩膜层,保留所述沟槽底部的所述掩膜层;重复上述步骤直至利用所述掩膜层将所述沟槽填满为止,...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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