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本发明涉及一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法，属于晶体生长技术领域，当掺杂浓度低，晶片透明，采用光学显微镜等无损观察其缺陷；当掺杂浓度高时，晶片不透明，采用熔融状态下的KOH或NaOH或其他碱的熔融液，对p型SiC进行腐蚀，然后在显微镜...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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