一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法，属于晶体生长技术领域，当掺杂浓度低，晶片透明，采用光学显微镜等无损观察其缺陷；当掺杂浓度高时，晶片不透明，采用熔融状态下的KOH或NaOH或其他碱的熔融液，对p型SiC进行腐蚀，然后在显微镜下观察腐蚀坑，进而可以表征晶体缺陷。根据腐蚀坑的大小、深度、形状和密度可以判定晶体缺陷的种类以及晶体质量。本申请采用了光学无损检测和碱液熔融腐蚀相结合的方法分析p型SiC晶片的缺陷信息，最大程度降低了材料损失，并提高了分析效率。并提高了分析效率。并提高了分析效率。

【技术实现步骤摘要】
一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法


[0001]本专利技术涉及重掺杂p型SiC晶片的微管、螺位错、刃位错以及基平面位错的检测方法，属于晶体生长


技术介绍

[0002]SiC是典型的第三代半导体材料，相对于其它半导体材料发展较为迅速。SiC材料相对于其它半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和电子速度高、热导率高、化学性能稳定等诸多优点，是制备高温、高频、大功率半导体器件的优质材料。根据SiC材料的导电性质，可以分为：半绝缘SiC、n型SiC和p型SiC。p型SiC单晶衬底作为一种导电型SiC衬底，在电力电子
具有广泛应用，可以用于SiC基SBD、MOSFET、JEFT等器件的制作。同时，低电阻率p型SiC衬底是制备SiC基n沟道IGBT器件必须的原材料，p型SiC制备的n沟道SiC IGBT器件在高压领域中具有开关速度高、功耗低等优点，已成为智能电网的核心器件。
[0003]在重掺杂p型SiC晶体的生长方法中，Al元素是目前公认的最合适的掺杂元素，在SiC禁带中产生的受主能级相对较浅，但Al元素在4H-SiC中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法，其特征在于，包括：(1)判断p型SiC晶片的Al掺杂浓度，所述SiC晶片是采用物理气相传输法制备得到，并进行了受主元素掺杂；当p型SiC晶片的Al掺杂浓度低于1E19/cm3或掺B浓度低于1E17/cm3时，晶片透明，采用高分辨应力仪或正交偏光显微镜分析晶片的微管及其他缺陷信息，进入步骤(2)；当p型SiC晶片的Al掺杂浓度高于1E19/cm3或掺B浓度高于1E17/cm3时，采用熔融碱腐蚀分析晶片的缺陷信息，进入步骤(3)；(2)高分辨应力仪的具体操作步骤为：打开电脑及高分辨应力仪电源，根据需要测试的晶片尺寸选择相应的支架，晶片置于支架上；打开分析软件，选择要扫描照片的颜色类型，选择与晶片相对应的晶片尺寸和分辨率；预览、扫描后，对扫描后的照片进行优化，达到最佳亮暗对比效果，可获得晶体的应力分布信息；(3)熔融碱腐蚀的步骤为：选择待腐蚀的p型SiC片；利用恒温腐蚀炉，设置加热程序，将碱液加热到满足腐蚀条件的温度；将需要腐蚀的p型SiC晶片放置到多孔托盘上面，将托盘浸入熔融碱中；腐蚀温度为300-...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀芳，仲光磊，谢雪健，于金英，杨祥龙，彭燕，胡小波，徐现刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：