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一种半导体外延结构及其形成方法，所述半导体外延结构包括：成核层配置在基板上；缓冲层配置在成核层上；半导体层配置在缓冲层上；阻障层配置在半导体层上；以及顶盖层配置在阻障层上。在半导体外延结构的翘曲率小于等于+/-30微米的情况下，半导体层的厚...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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