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存储装置制造方法及图纸
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文档序号:27092756
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本发明提高存储装置的成品率。实施方式的存储装置具备:衬底(100);结构体(50),包含积层在衬底(100)上的多个导电层(70);以及柱(MP),设置在结构体(50)内,且包含朝相对于衬底(100)的表面垂直的方向延伸的半导体层(82);...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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