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本发明为一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法。该器件有以下两种结构，第一种，由从下至上依次为衬底、成核层、非掺杂氮化铝层、n型铝镓氮层；部分n型铝镓氮层上依次为有源层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层、p型欧姆接触层...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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