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本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中制备方法包括提供初始三维存储器，初始三维存储器包括衬底、覆盖衬底的半导体结构。形成覆盖半导体结构的第一叠层结构。形成贯穿第一叠层结构的底部选择栅狭缝。形成覆盖第一叠层结构与底部选择栅狭缝的第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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