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半导体器件包括设置在半导体器件的NMOS区域中的第一器件。第一器件包括具有纳米结构沟道的垂直堆叠件的第一全环栅(GAA)器件。半导体器件还包括在半导体器件的PMOS区域中的第二器件。第二器件包括FinFET，该FinFET包括具有鳍宽度的鳍...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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