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提供了集成电路布局。该集成电路布局包括：具有第一多个场效应晶体管(FET)的第一有源区域；以及通过第一组接触结构接触第一有源区域中的第一多个FET的源极和漏极的互连件。第一组接触结构的至少一个是非导电的。本发明的实施例还涉及集成电路及其制造...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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