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一种半导体装置，在此公开有助于降低电容及/或电阻的互连以及相应的互连形成技术。示范的互连是设置在绝缘层内。互连具有金属接触物、环绕金属接触物的侧壁的接触隔离层，以及设置于接触隔离层与绝缘层之间的气隙。气隙的气隙密封件具有设置在接触隔离层的顶...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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