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本实用新型提供一种半导体结构包括Si衬底、绝缘层、Cu柱及钝化层，由于Si衬底与绝缘层具有第一高度差D1，Cu柱与绝缘层具有第二高度差D2，且第一高度差D1大于第二高度差D2，从而可有效避免对器件的电性能造成影响，避免绝缘层内外侧Cu金属的...
该专利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯长电半导体(江阴)有限公司授权不得商用。

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