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本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含III‑V族材料层、第一栅极、第二栅极和第一钝化层。所述第一栅极和所述第二栅极位于所述III‑V族材料层上。所述第一钝化层位于所述第一栅极上。所述第一栅极中的元素的第一激活率不同于所...
该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。

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