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本公开内容一般涉及使用掺杂的锡靶通过物理气相沉积制备的氧化锡膜。半导体膜可包括锡和氧，并且可在包括硅掺杂的锡靶的PVD腔室中形成。另外地，与没有掺杂的靶的类似地形成的膜相比，所述半导体膜可为平滑的。可通过对包括占总靶的0.5原子量％至5原子...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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