专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
三星电子株式会社
>
半导体器件和制造半导体器件的方法技术
>技术资料下载
下载半导体器件和制造半导体器件的方法的技术资料
文档序号:26795655
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
提供一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法,所述半导体器件包括半导体基底:包括限定有源区的沟槽;掩埋介电图案,位于沟槽中;氧化硅层,位于掩埋介电图案与沟槽的内壁之间;以及多晶硅层,位于氧化硅层与沟槽的内壁之间,其中,多晶硅层具有与半导体基...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。