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本公开的实施例涉及半导体器件。沿Y方向排列的鳍、控制栅极电极和存储器栅极电极，该控制栅极电极和存储器栅极电极中的每一个被形成为沿Y方向延伸以跨过鳍、多个第一插头，与在每个鳍中形成的漏极区域电连接，以及多个第二插头，与在每个鳍中形成的源极区域...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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