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实施方式提供一种能够抑制芯片面积增加的半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，半导体存储装置包含：多个第1配线层(24)，在第1方向上积层；第1存储器柱(MP)，包含有在多个第1配线层(24)的内部沿着第1方向延伸的第1半导体层(29)；...
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