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立体存储器阵列装置与乘积累加方法制造方法及图纸
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文档序号:26790064
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本发明公开了一种立体存储器阵列装置与乘积累加方法,该立体存储器阵列装置包括区块、位线、字线、源极线、互补式金属氧化物半导体(CMOS)与源极线感测放大器。每一区块包括含多个NAND串的阵列,且NAND串中的每一存储单元存储一个或多个权重值。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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