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公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；第一介质层，位于衬底的顶表面上，第一介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，且贯穿孔内设有导电插塞；第二介质层，位于第一介质层的顶表面上，第...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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