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一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个...
该专利属于三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团授权不得商用。

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