存储器件及其访问方法技术

一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其访问方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0072403号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术构思的实施例涉及一种半导体存储器件，并且具体地，涉及一种储存器件及其访问方法。
技术介绍
闪存器件被用作诸如计算机、智能电话、个人数字助理(PDA)、数字照相机、便携式摄像机、录音机、MP3播放器以及掌上电脑的信息器件的语音和图像数据储存介质。闪存器件作为储存器件的应用正在增加。如今，正在应用具有三维阵列结构的半导体存储器件以改善闪存器件的集成度。具有三维阵列结构的闪存器件的单元串在垂直于基板的方向上形成。即，存储器单元以行和列的形式设置在基板上，并在垂直于基板的方向上堆叠以形成三维结构。然而，已知存储器单元的编程、读取或擦除特性取决于三维结构中存储器单元位于的位置而变化。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供一种考虑到存储器块的堆叠结构的特性来访问非易失性存储器件的储存器件及其访问方法。r>根据示例性实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，在存储器块中堆叠包括多个字线的多个半导体层，所述方法包括：/n接收对存储器块的写入请求；/n确定写入请求是否对应于存储器块中的一个或多个引导字线；/n响应于写入请求被确定为与所述一个或多个引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；以及/n响应于写入请求被确定为与所述多个字线中的后续字线相对应，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程，/n其中，利用第二编程参数执行第二编程模式，第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，并且第二编程参数不同于第...

【技术特征摘要】
20190618 KR 10-2019-00724031.一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，在存储器块中堆叠包括多个字线的多个半导体层，所述方法包括：
接收对存储器块的写入请求；
确定写入请求是否对应于存储器块中的一个或多个引导字线；
响应于写入请求被确定为与所述一个或多个引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；以及
响应于写入请求被确定为与所述多个字线中的后续字线相对应，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程，
其中，利用第二编程参数执行第二编程模式，第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，并且第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
读取对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元运行第一编程模式的编程结果信息，
其中，基于编程结果信息调整第一编程模式的对应的第一参数，以设置第二编程参数。


3.根据权利要求1所述的方法，
其中，存储器块的所述多个半导体层中的每个的字线被指定为所述一个或多个引导字线中的对应的一个。


4.根据权利要求3所述的方法，
其中，在所述多个半导体层的每个中首先访问所述多个半导体层的每个的所述字线。


5.根据权利要求1所述的方法，
其中，存储器块中包括的所述多个字线中仅有一个被指定为所述一个引导字线。


6.根据权利要求5所述的方法，
其中，所述一个引导字线对应于在存储器块中首先被访问的字线。


7.根据权利要求2所述的方法，
其中，后续字线与所述一个或多个引导字线中的一个存在于相同的半导体层中，以及
基于水平层相似性进一步调整第一编程模式的对应的第一参数，以设置第二编程参数。


8.根据权利要求2所述的方法，
其中，后续字线存在于与所述一个或多个引导字线中的一个的半导体层不同的半导体层中，以及
基于垂直层可变性进一步调整第一编程模式的对应的第一参数，以设置第二编程参数。


9.根据权利要求2所述的方法，
其中，编程结果信息包括用于每个编程循环的来自连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元当中的、其阈值电压为验证电压或更高的编程存储器单元的数量、其中其阈值电压为验证电压或更高的编程存储器单元的数量超过参考值(TH)的编程循环的数量、以及针对每个目标状态的通过的编程循环的数量中的至少一个。


10.一种储存器件，包括：
非易失性存储器件，包括其中堆叠多个半导体层的存储器块；以及
储存控制器，被配置为：
将形成在所述多个半导体层中的多个字线分类并管理为一个或多个引导字线和所述一个或多个引导字线中的每个的后续字线，
在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程，
根据从在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行的编程获得的编程结果信息来生成第二编程参数，以及
利用第二编程参数在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程，
其中，第二编程参数包括通过基于编程结果信息调整在第一编程模式中使用的第一编程参数的编程脉冲的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志烘，李庚德，沈荣燮，权起禄，金明奭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR