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本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长ＳｉＯ↓［２］、ＴｉＯ↓［２］薄膜，各５～１０层，设计ＳｉＯ↓［２］薄膜厚度１０ｎｍ～９６ｎｍ...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长ＳｉＯ↓［２］、ＴｉＯ↓［２］薄膜，各５～１０层，设计ＳｉＯ↓［２］薄膜厚度１０ｎｍ～９６ｎｍ...