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本发明提供一种半导体隔离结构及其制作方法。所述制作方法中，首先在所述半导体基底上形成有多个沟槽，然后执行回拉工艺使得半导体基底上的垫氧化层和硬掩模层的侧壁内缩，再在沟槽内填满第一隔离介质层，接着执行离子注入工艺，使得第一隔离介质层的上部形成...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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