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本发明提供一种三维存储器及其制备方法，该三维存储器包括背部介质层、设置于背部介质层上的半导体衬底、形成于半导体衬底上的第一沟槽和第二沟槽、形成于第一沟槽中的第一半导体材料层、形成于第一半导体材料层及半导体衬底的共同表面的第二半导体材料层、形...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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