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一种非易失性存储器件包括：模制结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅电极；半导体图案，穿透模制结构并接触衬底；第一电荷存储膜；以及与第一电荷存储膜分隔开的第二电荷存储膜。第一电荷存储膜和第二电荷存储膜设置在每个栅电极与半导体图案...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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