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本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，包括提供一第一半导体衬底；栅极堆叠结构，具有沿第一方向依次设置的核心区和台阶区域，所述核心区域中形成有垂直沟道结构；若干共源线，沿所述第一方向延伸，所述共源线包括相互连接的源线主体部和源线凸出部，所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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