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本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底；在衬底上方形成堆叠层，堆叠层包括核心存储区和台阶区，台阶区包括连接区和至少一个分区台阶区，连接区用于连接每个分区台阶区和核心存储区；形成初始掩模图案，初始掩模图案覆盖连接区和每...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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