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公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：有源区，所述有源区从衬底向上突出；多个沟道图案，所述多个沟道图案在所述有源区上沿第一方向彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极在所述有源区上沿所述第一方向延伸并覆盖所述多个沟道图案。所述多个沟道图案中的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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