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本发明公开了一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构，通过将被乘数与乘数分别存储在6T SRAM单元与WL内，被乘数的十进制数值由单元的6T SRAM WL开启时间决定，乘数数值的正负由左字线(WL Left，缩写为WLL)开启还是...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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