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本发明为半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构开发的技术领域，具体涉及一种半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构、其制备方法及应用。半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构，包括MOF及填充在MOF孔道内的半导体，在MOF孔道中的半导体...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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