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一种双电容ＭＯＳ硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一ｐ型单晶硅层为衬底上的单晶硅，在ｐ型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一ｐ＋注入层制作在ｐ型单晶硅层的上面；一ｎ型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及ｐ型单晶硅层...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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