【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双电容ＭＯＳ硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，包括：一衬底；一二氧化硅掩埋层，该二氧化硅掩埋层位于衬底上；一ｐ型单晶硅层，该ｐ型单晶硅层为衬底上的单晶硅，在ｐ型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一ｐ＋注 入层，该ｐ＋注入层制作在ｐ型单晶硅层的上面；一ｎ型单晶硅层，该ｎ型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及ｐ型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧，该ｎ型单晶硅层和ｐ型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一ｎ＋注入层，该ｎ＋注入层制作在ｎ型单晶硅 层脊形波导结构两侧的平面上；金属接触层，该金属接触层制作在ｐ＋注入层上面的中间位置及ｎ＋注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在ｎ型单晶硅层和ｐ型单晶硅层的表面，起到保护作用。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘达，黄北举，刘海军，顾明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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