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根据本发明构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法包括：在基材上形成垂直半导体结构，该垂直半导体结构在基材上方突出并且包括下源极/漏极部分、上源极/漏极部分以及设置在所述下源极/漏极部分和所述上源极/漏极部分之间的通道...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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