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提供了一种支持DRAM高速缓存模式的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)以及NVDIMM的操作方法。该NVDIMM包括DRAM芯片、NVM芯片、和控制器，该控制器控制该DRAM芯片作为该NVM芯片的高速缓存存储器操作。控制器在DRA...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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